Все продукты

BLC9G21LS-60AVZ RF MOSFET LDMOS

Силовой LDMOS-транзистор BLC9G21LS-60AVZ — это двойной N-канальный силовой RF-транзистор LDMOS на основе технологии Ampleon LDMOS Gen9, оптимизированный для базовых станций 4G/5G с частотой 1805–2200 МГц (1,8–2,2 ГГц), систем связи с несколькими...

РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-551AVT

Силовой LDMOS-транзистор Модель: BLC10G27XS-551AVT Производитель: Амплеон Тип продукта: Асимметричный силовой транзистор Доэрти 10-го поколения с напряжением LDMOS 28 В, оптимизированный для 2,62–2,69 ГГц 5G NR n78-диапазона макробазовой станции для...

BLC10G16XS-600AVT RF МОП-транзистор LDMOS 32 В

HF/VHF МОЩНОСТЬ LDMOS Номер детали: BLC10G16XS-600AVT Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS, асимметричный силовой транзистор Доэрти, 1,427–1,518 ГГц, класс 600 Вт, предназначенный для окончательного усиления РЧ макробазовой станции. Основные...

BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS

Силовой LDMOS-транзистор BLC10G18XS-360AVT — это асимметричный силовой ВЧ-транзистор Doherty LDMOS от Ampleon, оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G с частотой 1805–1880 МГц (1,8 ГГц) и усилителей мощности с несколькими несущими....

РЧ МОП-транзисторы BLC10G27XS-400AVTZ

Силовой LDMOS-транзистор Модель: BLC10G27XS-400AVT (стандартная модель: BLC10G27XS-400AVTZ, упаковка на ленте и в катушках) Производитель: Амплеон Тип продукта: Асимметричный силовой ВЧ-транзистор Доэрти 9-го поколения с напряжением LDMOS 28 В...

BLC10G19XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

ВЧ/УКВ мощность LDMOS BLC10G19XS-600AVT — это асимметричный силовой транзистор Доэрти LDMOS 10-го поколения от Ampleon, работающий на частоте 1930～1995 МГц. Оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G и оконечных усилителей мощности mMIMO, он...

BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS

ВЧ/УКВ мощность LDMOS BLC10G19XS-551AV — кремниевый силовой RF-транзистор LDMOS 10-го поколения производства компании Ampleon (Нидерланды), оптимизированный для асимметричных усилителей мощности Доэрти в макробазовых станциях 4G LTE и 5G NR,...

BLC10G22XS-602AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В SOT1258

УКВ МОЩНОСТЬ LDMOS BLC10G22XS-602AVT — это силовой RF-транзистор LDMOS 10-го поколения производства Ampleon (Нидерланды), оптимизированный для приложений макробазовых станций 4G LTE и 5G NR с несколькими несущими в диапазоне 2110–2170 МГц (2,1 ГГц)....

BLC10G18XS-602AVT RF МОП-транзистор LDMOS

HF/VHF МОЩНОСТЬ LDMOS BLC10G18XS-602AVT — это высокопроизводительный силовой RF-транзистор LDMOS производства Ampleon, предназначенный для приложений макробазовых станций в диапазоне частот 1805–1880 МГц (диапазон 1,8 ГГц). Он обеспечивает высокую...

BLC10G22XS-400AVT Силовой транзистор LDMOS

Силовой LDMOS-транзистор BLC10G22XS-400AVT — это асимметричный силовой транзистор Doherty LDMOS от Ampleon, оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G с частотой 2110–2200 МГц (2,2 ГГц) и радиочастотных усилителей мощности с несколькими...

BLC10G22XS-603AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В

HF/VHF МОЩНОСТЬ LDMOS Номер детали: BLC10G22XS-603AVT (суффикс Z/Y: BLC10G22XS-603AVTY) Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS, асимметричный силовой транзистор Доэрти, 2,11–2,17 ГГц, пиковая мощность 600 Вт, предназначенный для конечного...

BLF974P BLF974PU LDMOS высокой мощности

BLF974P, Ampleon, широкополосный высокочастотный силовой транзистор LDMOS 500 Вт, 50 В, усовершенствованная технология LDMOS, сверхширокий частотный диапазон 10–700 МГц, специальный высокомощный компонент для радиовещания, промышленности, науки и...

BLP9H10-30G RF MOSFET LDMOS

Номер детали: BLP9H10-30G Производитель: Амплеон Тип устройства: силовой RF-транзистор LDMOS 9-го поколения, 50 В, 30 Вт, пластиковый корпус, оптимизированный для драйвера базовой станции 4G/3G/2G с частотой менее 1 ГГц или оконечных усилителей...

BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6

Общее описание BLC10G22XS-301AVT — это асимметричный LDMOS-транзистор Доэрти мощностью 300 Вт с P1dB, изготовленный по технологии Ampleon 10-го поколения (GEN10), работающий на частоте 2110–2170 МГц (5G n1/n66, 4G B1/B66). Размещенный в термически...

GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

Номер детали: CLL3H0914L-700 Производитель: Амплеон Тип устройства: L-диапазон, GaN-SiC HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия, карбида кремния, 700 Вт), внутреннее предварительное согласование, 0,9–1,4 ГГц,...

BLF188XR RF MOSFET LDMOS 50 В CDFM4

Прикладные продукты BLF188XR BLF188XR — силовой LDMOS RF-транзистор мощностью 1400 Вт производства компании Ampleon (ранее NXP), работающий в диапазоне частот HF ~ 600 МГц. В основном он применяется в мощных радиочастотных усилителях для...

BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON 9-го поколения

BLM9D1822-30BZ — это двухкаскадная интегрированная MMIC Doherty LDMOS 9-го поколения от Ampleon (Нидерланды), оптимизированная для малых сот 4G/5G, каскадов драйверов макробазовых станций и общего усиления радиочастот в диапазоне 1,8–2,2 ГГц. Он...

BLM8G0710S-15PB 2-ступенчатый двухсекционный MMIC питания

Номер детали: BLM8G0710S-15PB Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS 8-го поколения, двухкаскадный/двухсекционный силовой MMIC, 700–1000 МГц ниже 1 ГГц, универсальный драйвер класса 15 Вт/оконечный усилитель для малых ячеек. Основные...

B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS

Номер детали: B11G1822N60D Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS, двухсекционный, двухкаскадный, полностью интегрированный MMIC Doherty, 1,8–2,2 ГГц, линейная мощность 60 Вт, базовая макростанция/усилитель драйвера общего назначения 5G mMIMO...

C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В SOT1273

Номер детали: C4H18W500A Производитель: Амплеон Тип устройства: нитрид галлия (GaN) HEMT, асимметричный РЧ-транзистор Доэрти, 48 В. Применение: оконечный усилитель мощности для макробазовой станции 4G/5G AAU и RRU, 1800～2000 МГц Ключевые...

BLC10G15XS-301AVT РЧ МОП-транзистор LDMOS 30 В

Номер детали: BLC10G15XS-301AVT Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS 10-го поколения, асимметричный ВЧ силовой транзистор Доэрти, 30 В. Диапазон частот: 1452～1492 МГц (диапазоны 5G n5/4G B5) Применение: оконечный усилитель мощности для...

BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS 48В

Номер детали : BLC9H10XS-606A. Производитель : Амплеон Тип устройства : ВЧ силовой транзистор LDMOS 9-го поколения, 48 В, асимметричная конструкция Доэрти со встроенным согласованием входов, оптимизированный для окончательного усилителя мощности...

ART1K9FH ART1K9FHU LDMOS RF-транзистор пиковой мощности

ART1K9FHU — это ВЧ-транзистор LDMOS пиковой мощности 1900 Вт, производимый компанией Ampleon на основе технологии Advanced Rugged Technology (ART). Он специально разработан для ISM, радиовещания и связи в диапазоне от 1 МГц до 500 МГц (от низкой...

BLF989E RF MOSFET транзисторы

BLF989E — это ВЧ-транзистор LDMOS пиковой мощности 1000 Вт, производимый компанией Ampleon с применением высоковольтной (50 В) технологической технологии LDMOS 9-го поколения. Он специально разработан для асимметричных передатчиков вещания Доэрти в...