Все продукты

РЧ МОП-транзисторы BLM10D1822-61ABG

РЧ МОП-транзисторы BLM10D1822-61ABG Диапазон частот: 1800–2200 МГц Чип широкополосного драйвера от 1800 до 2200 МГц Номер детали: BLM10D1822-61ABG Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS 10-го поколения, двухканальная интегрированная MMIC с...

Однослойные керамические конденсаторы серии SS для поверхностного монтажа

Однослойный конденсатор Однослойные керамические конденсаторы серии SS для поверхностного монтажа Однослойные керамические конденсаторы для поверхностного монтажа серии SS имеют компактную структуру SMD, характеризующуюся сверхнизким ESL, низкими...

Однослойный конденсатор с керамическим диэлектриком

Однослойный конденсатор Однослойный керамический диэлектрический конденсатор массивного типа серии SA Применение продукта Он применяется в схемах развязки, схемах РЧ-шунтирования, схемах блокировки постоянного тока и т. д. на...

BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS

Номер детали: BLC9H10XS-600A Производитель: Амплеон Тип устройства: силовой РЧ-транзистор LDMOS 9-го поколения, 48 В, асимметричная конструкция Доэрти, со встроенным входным согласованием 50 Ом, оптимизированный для оконечных усилителей макробазовых...

BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273

Номер детали: BLC9H10XS-60PY Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS 9-го поколения, симметричный силовой транзистор мощностью 60 Вт, 400–1000 МГц ниже 1 ГГц, линейный усилитель класса AB, оконечный/драйверный каскад средней мощности общего...

РЧ МОП-транзисторы BLM9H0610S-60PG

Номер детали: BLM9H0610S-60PG Производитель: Амплеон Тип устройства: высоковольтный LDMOS 9-го поколения, двухсекционный, двухступенчатый силовой MMIC, со встроенным согласованием, оптимизированный для драйвера макробазовой станции 4G/5G с частотой...

BLM2425M7S60PY LDMOS 2-ступенчатый силовой MMIC

BLM2425M7S60P — это силовой RF-транзистор LDMOS мощностью 60 Вт, выпущенный компанией Ampleon. Используя радиочастотный процесс поколения M7, он специально разработан для мощных приложений непрерывного (CW) диапазона 2400–2500 МГц (диапазон ISM 2,45...

BLM8G0710S-30PBG ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР РЧ МАЛОГО СИГНАЛА

Номер детали: BLM8G0710S-30PBG Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS 8-го поколения, двухсекционная двухкаскадная силовая MMIC, 700–1000 МГц ниже 1 ГГц, высоколинейный драйвер класса 30 Вт / оконечный усилитель с малыми ячейками (выводная...

BLC9H10XS-505AZ РФ МОП-транзистор LDMOS

Номер детали: BLC9H10XS-505AZ Производитель: Амплеон Тип устройства: силовой RF-транзистор LDMOS 9-го поколения, 48 В, асимметричная конструкция Доэрти, со встроенным входным согласованием 50 Ом, оптимизированный для оконечного усилителя...

BLP9H10S-350A RF МОП-транзистор LDMOS 48 В

Марка и модель: Ampleon BLP9H10S-350A Тип устройства: Асимметричный РЧ-транзистор Доэрти с внутренним согласованием, N-канальный силовой РЧ-транзистор LDMOS Упаковка: OMP780-4F-1 (7-контактный керамический корпус, высокая теплоотдача) Диапазон...

C4H18W500A RF МОП-транзистор 48 В

Номер детали: C4H18W500A Производитель: Амплеон Тип устройства: GaN (нитрид галлия), асимметричный силовой транзистор Доэрти, 1800–2000 МГц, пиковая мощность 500 Вт, предназначенный для конечного радиочастотного усиления макробазовой станции 4G/5G....

BLC9H10XS-606AZ РФ МОП-транзистор LDMOS

Номер детали: BLC9H10XS-606A Производитель: Амплеон Тип устройства: ВЧ силовой транзистор LDMOS 9-го поколения, 48 В, асимметричная конструкция Доэрти со встроенным входным согласованием, оптимизированный для окончательного усилителя мощности...

BLC10G22XS-570AVT RF MOSFET LDMOS 30 В SOT1258

Номер детали: BLC10G22XS-570AVT Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS, асимметричный силовой ВЧ-транзистор Доэрти, 30 В. Применение: оконечный усилитель мощности для макробазовой станции 4G/5G AAU и RRU, 2110～2180 МГц (диапазоны n1/n3/B1/B3)...

LDMOS BLC9H10XS-606AZ РФ МОП-транзистор

Номер детали: BLC9H10XS-606A Производитель: Амплеон Тип устройства: ВЧ силовой транзистор LDMOS 9-го поколения, 48 В, асимметричная конструкция Доэрти со встроенным входным согласованием, оптимизированный для окончательного усилителя мощности...

AMPLEON BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS

Номер детали: BLC9H10XS-606A Производитель: Амплеон Тип устройства: ВЧ силовой транзистор LDMOS 9-го поколения, 48 В, асимметричная конструкция Доэрти со встроенным входным согласованием, оптимизированный для окончательного усилителя мощности...

BLM9D2022-08AMZ 2-ступенчатая полностью интегрированная MMIC Doherty LDMOS

2-ступенчатая MMIC Доэрти LDMOS 2-этапная интегрированная MMIC Доэрти BLM9D2022-08AMZ — это двухкаскадный полностью интегрированный усилитель мощности Doherty LDMOS MMIC от Ampleon, изготовленный по технологии LDMOS Gen9, оптимизированный для...

B10G3438N55D B10G3438N55DZ RF МОП-транзистор LDMOS

2-ступенчатая MMIC Доэрти Модель: B10G3438N55D Производитель: Амплеон Тип продукта: Трехступенчатый полностью интегрированный асимметричный РЧ-усилитель мощности Doherty MMIC с напряжением 50 В LDMOS 10-го поколения, оптимизированный для диапазона...

BLM9D1819-08AMZ Двухэтапная полностью интегрированная MMIC Doherty

2-ступенчатая MMIC Доэрти Номер детали: BLM9D1819-08AMZ (также называемый BLM9D1819-08AM; суффикс Z указывает на упаковку на ленте и катушке) Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS 9-го поколения, двухэтапная полностью интегрированная MMIC...

B10G2022N10DLZ 2-ступенчатый, 10 Вт, полностью интегрированный MMIC Doherty

2-ступенчатая MMIC Доэрти Номер детали: B10G2022N10DL Производитель: Амплеон Тип устройства: двухкаскадный полностью интегрированный MMIC Doherty MMIC (LDMOS) мощностью 10 Вт, 2110–2170 МГц (5G n1/4G B1), оконечный усилитель малых сот/mMIMO,...

BLC10G22XS-551AVT RF МОП-транзистор LDMOS32V

Силовой LDMOS-транзистор BLC10G22XS-551AVT — это высокопроизводительный силовой LDMOS-транзистор производства Ampleon, оптимизированный для применения в базовых станциях и ВЧ-усилителях мощности с несколькими несущими в диапазоне частот 2,2 ГГц....

BLC10G18XS-301AVT RF МОП-транзистор LDMOS

ВЧ/УКВ мощность LDMOS BLC10G18XS-301AVT — это силовой ВЧ-транзистор LDMOS на основе кремния 10-го поколения, производимый компанией Ampleon, Нидерланды. Он использует асимметричную архитектуру внутреннего согласования Доэрти, работающую на частоте...

BLC10G18XS-551AVT RF MOSFET LDMOS

Силовой LDMOS-транзистор BLC10G18XS-551AVT — это асимметричный силовой транзистор Doherty LDMOS от Ampleon, оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G с частотой 1805–1880 МГц (1,8 ГГц) и радиочастотных усилителей мощности с несколькими...

BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

Силовой LDMOS-транзистор BLC10G18XS-400AVT — это асимметричный силовой транзистор Doherty LDMOS от Ampleon, оптимизированный для макробазовых станций 4G/5G с частотой 1805–1880 МГц (1,8 ГГц) и радиочастотных усилителей мощности с несколькими...

BLC10G19XS-601AVTZ RF МОП-транзистор LDMOS 30 В

ВЧ/УКВ мощность LDMOS Номер детали: BLC10G19XS-601AVT (суффикс Z/Y: BLC10G19XS-601AVTZ) Производитель: Амплеон Тип устройства: LDMOS, асимметричный силовой транзистор Доэрти, 1,93–1,995 ГГц, пиковая мощность 650 Вт, предназначен для макробазовой...