Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273
BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273
BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273
BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273
BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273
BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273
BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273
BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273

BLC9H10XS-60P RF MOSFET LDMOS 50 В SOT1273

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLC9H10XS-60P

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
Номер детали: BLC9H10XS-60PY
Производитель: Амплеон
Тип устройства: LDMOS 9-го поколения, симметричный силовой транзистор мощностью 60 Вт, 400–1000 МГц ниже 1 ГГц, линейный усилитель класса AB, оконечный/драйверный каскад средней мощности общего назначения (бессвинцовая версия BLC9H10XS-60P) Ampleon.

Основные характеристики (Tcase=25°C, VDS=48В, 940МГц, класс AB)

  • Диапазон частот: 400 МГц ~ 1000 МГц
  • Напряжение питания стока (VDS): 48 В (тип.), макс. 105 ВАmpleon
  • Ток покоя (IDq): 110 мА (тип.) Амплеон
  • Выходная мощность P1дБ: 60 Вт (47,8 дБм, тип.)
  • Усиление мощности: 16,1 дБ (тип.)
  • Эффективность дренажа: 11,9 % (тип., класс AB, 1 несущая)
  • Линейность (ACPR): -38 дБн (тип.)
  • Корпус: SOT1273‑1 (4 провода, бессвинцовый фланцевый корпус, высокая теплоотдача)
  • Термическое сопротивление (переход к корпусу): 2,8 К/Вт
  • Особенности: Внутреннее согласование, защита от электростатического разряда, широкополосная стабильность, высокая устойчивость к несоответствию (КСВ=10:1).

Ключевые особенности

  • LDMOS 9-го поколения + симметричная архитектура: высокий коэффициент усиления, линейность и широкополосная стабильность для сигналов с высоким PAR и несколькими несущими;
  • Сверхширокополосное покрытие 400–1000 МГц для 4G LTE, 5G NR, 3G W‑CDMA, частных диапазонов/ISM;
  • Симметричная двухполюсная конструкция поддерживает несимметричные, двухтактные и мостовые топологии, что обеспечивает высокую гибкость;
  • Внутреннее предварительное согласование входов упрощает внешние схемы и сокращает цикл проектирования;
  • Встроенная защита от электростатического разряда + высокая прочность, выдерживает несоответствие нагрузки (КСВН=10:1), что обеспечивает высокую надежность;
  • Бессвинцовая зеленая упаковка (PY), соответствующая RoHS, с превосходными тепловыми характеристикамиAmpleon.

Типичные применения

  • Драйвер макробазовой станции суб‑1 ГГц (400–1000 МГц) (для транзисторов Доэрти мощностью 350 Вт/500 Вт, например, BLC9H10XS-350A/500A);
  • Конечный усилитель 4G/5G для средних/малых ячеек (линейные сценарии 60 Вт);
  • Частная беспроводная связь, общественная безопасность, радиочастотные передатчики диапазона ISM 50–60 Вт;
  • Мощный предусилитель/драйвер передатчика с несколькими несущими.

Определение номера детали

  • BLC: симметричное питание LDMOS
  • 9: Процесс LDMOS 9-го поколения
  • H10: полоса частот 400–1000 МГц.
  • XS: стандартная симметричная версия.
  • 60: номинальная мощность 60 Вт (P1дБ)
  • P: Фланцевый корпус для термомонтажа
  • Y: бессвинцовая зеленая версия
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить