Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

Pусский

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
Pусский
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLC10G16XS-600AVT RF МОП-транзистор LDMOS 32 В
BLC10G16XS-600AVT RF МОП-транзистор LDMOS 32 В
BLC10G16XS-600AVT RF МОП-транзистор LDMOS 32 В
BLC10G16XS-600AVT RF МОП-транзистор LDMOS 32 В
BLC10G16XS-600AVT RF МОП-транзистор LDMOS 32 В
BLC10G16XS-600AVT RF МОП-транзистор LDMOS 32 В
BLC10G16XS-600AVT RF МОП-транзистор LDMOS 32 В

BLC10G16XS-600AVT RF МОП-транзистор LDMOS 32 В

Получить цену
Количество минимального заказа:1
Атрибуты продукта

Модель: BLC10G16XS-600AVT

Бренд: АМПЛЕОН

Упаковка и доставка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Описание продукта
HF/VHF МОЩНОСТЬ LDMOS
Номер детали: BLC10G16XS-600AVT
Производитель: Амплеон
Тип устройства: LDMOS, асимметричный силовой транзистор Доэрти, 1,427–1,518 ГГц, класс 600 Вт, предназначенный для окончательного усиления РЧ макробазовой станции.

Основные характеристики (Tcase=25°C, VDS=32В, сигнал W-CDMA с 1 несущей)

  • Диапазон частот: 1,427–1,518 ГГц (основные диапазоны 5G, такие как n41/40)
  • Напряжение питания стока (VDS): 32 В (тип.), макс. 65 В
  • Ток покоя (IDq): 1300 мА (основной усилитель, тип.)
  • Средняя выходная мощность (PL(AV)): 112–115 Вт (50,6 дБм).
  • Пиковая выходная мощность (PL(M)): 614–720 Вт.
  • Коэффициент усиления мощности (Gp): 17,4 дБ (тип.)
  • Эффективность дренажа (ηD): 48,7 % (тип.)
  • Коэффициент мощности соседнего канала (ACPR): −31,0 дБн (тип.)
  • Входные обратные потери (RLin): −16 дБ (тип.)
  • Упаковка: SOT1258-4 (6-выводной, фланцевый без ушей, пластик с воздушной полостью)
  • Тепловое сопротивление (переход к корпусу): 0,17–0,19 К/Вт (при рассеиваемой мощности 115–145 Вт)
  • Особенности: Внутреннее предварительное согласование, малый эффект памяти, высокий допуск на несоответствие (КСВ=10:1), низкая выходная емкость, защита от электростатического разряда.

Ключевые особенности

  • Асимметричная архитектура Доэрти: интегрированный двухканальный основной + пиковый режим, оптимизированный для сигналов 5G с высоким PAPR, балансирующий высокую эффективность и высокую линейность;
  • Высокая мощность и высокий коэффициент усиления: пиковая мощность класса 600 Вт, усиление 17,4 дБ, соответствие требованиям к покрытию высокой мощности макробазовой станции;
  • Низкий эффект памяти: оптимизированная конструкция улучшает возможности цифрового предыскажения (DPD) с линеаризованным ACPR ниже −50 дБн;
  • Высокая прочность: выдерживает КСВН = 10:1 при несоответствии всефазной нагрузки для долгосрочной стабильной работы;
  • Отличные тепловые характеристики: сверхнизкое термическое сопротивление (0,17 К/Вт) для высокой эффективности рассеивания тепла, поддержка непрерывной работы на высокой мощности;
  • Внутреннее предварительное согласование: упрощает схемы внешнего согласования, сокращает циклы проектирования и снижает стоимость спецификации;
  • Соответствует RoHS: не содержит свинца, экологически чистый.

Типичные применения

  • Конечный усилитель макробазовой станции 5G (1,427–1,518 ГГц, диапазоны n41/n40);
  • Радиочастотное усиление с несколькими несущими 4G LTE;
  • Каналы передачи мощной радиочастотной базовой станции;
  • Замена устаревшей LDMOS (например, BLC10G22XS-400AVT) для более высокой мощности и эффективности.

Определение номера детали

  • BLC: B-серия, LDMOS, силовой транзистор Доэрти
  • 10G: процесс LDMOS 10-го поколения, общее применение базовой станции
  • 16: диапазон 1,6 ГГц (1,427–1,518 ГГц)
  • XS: фланцевый корпус без ушей, высокая удельная мощность
  • 600: номинальная мощность 600 Вт (пиковая выходная мощность)
  • AVT: Асимметричный Доэрти, пластиковый корпус с воздушной полостью, стандартная версия
Главная> Каталог> ВЧ силовой транзистор> ВЧ / УКВ мощность LDMOS> BLC10G16XS-600AVT RF МОП-транзистор LDMOS 32 В
Запрос
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Отправить